国外在20世纪60年代，通过磁光效应，对稀磁泡材料的磁运动作了深人研究，并发展了磁泡存储器。由于磁泡存储器的独特优点，大容量、非挥发、不易失、全固态等，它一问世就引起国内外的极大关注。在 70年代到80年代中期用液相外延方法研制的磁泡外延薄膜层出不穷，促进了磁性材料的离子替代的物理研究工作。
国外的上海冶金研究所研制了(YSmLuCa)3(FeGa)5O12等磁泡单晶薄膜，达到外延重复性80%，磁缺陷密度为4~10cm-2。用这种膜作芯片，仿国外样机，研制成SMB型磁泡存储器，设计容量64kb，工作频率100Hz，工作温度0~40C，达到美国Taxax Instrment公司生产的TIB-0203 型磁泡器件的水平，在国内处于领先地位，此外，还对 Bi的磁泡材料进行了研究。