专利类型发明专利 |
申请类型企业 |
申请方名称王宇 , 崔金石 , 陈浩 , 安徽高芯众科半导体有限公司 , 辛长林 |
发明人暂无 |
申请号CN202310805370.1 |
公开号CN116810617A |
国际申请暂无 |
申请日2023-07-03 00:00:00 |
主分类号B24B37/04 |
代理机构暂无 |
代理人暂无 |
公开日2023-09-29 00:00:00 |
优先权暂无 |
进入国家日暂无 |
国际公布日暂无 |
国际申请日暂无 |
地址247100 安徽省池州市直属园区经济技术开发区金安园区金同路69号 |
检索词暂无 |
1.硅材料加工工艺,其特征在于,包括以下步骤：S1、检查原材料外观有无破损划痕,采用切削液#3对原材料进行粗磨加工,对粗磨后的硅材料平面进行测量是否合格；S2、采用切削液#1对硅材料进行第一次研磨,并对研磨后的硅材料进行厚度测量是否合格；S3、采用切削液#1对硅材料进行外径加工,测量硅材料加工后的外径是否合格；S4、采用切削液#2对硅材料进行键孔打孔,随后进行超声波清洗,并对硅材料的键孔进行测量；S5、采用切削液#2对硅材料进行打孔加工,打孔完成的硅材料进行超声清洗,对打孔后的材料进行非接触式孔测量；S6、用酸液对硅材料进行酸性孔蚀刻,蚀刻后对硅材料表面进行外观检查有无破碎划痕；S7、采用切削液#1对硅材料进行第二次研磨,研磨后进行超声波清洗,并对硅材料进行接触式厚度测量；S8、采用切削液#1对硅材料进行第三次研磨,研磨后进行超声波清洗,并对硅材料进行接触式厚度测量；S9、采用切削液#1对硅材料进行外段径加工,对硅材料进行超声波清洗,对硅材料进行接触式外段径测量；S10、采用切削液#1对硅材料进行第四次研磨后,分别采用去离子水和清洗剂进行超声波清洗,并对硅材料进行非接触式形状测量；S11、对硅材料进行接触式整体测量,并将成品放入包装袋中并注入去离子水封口打包出库。