专利类型发明专利 |
申请类型机构 |
申请方名称刘雍 , 熊锐 , 武汉大学 |
发明人暂无 |
申请号CN202310739403.7 |
公开号CN116507195B |
国际申请暂无 |
申请日2023-06-21 00:00:00 |
主分类号H10N70/20 |
代理机构武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 |
代理人余晓雪 |
公开日2023-10-17 00:00:00 |
优先权暂无 |
进入国家日暂无 |
国际公布日暂无 |
国际申请日暂无 |
地址430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号 |
检索词暂无 |
1.一种基于WO/YO双异质结结构模拟忆阻器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤：xy1)采用物理气相沉积工艺在SiO/Si衬底上沉积导电薄膜作为下电极；22)采用溅射工艺在步骤1)制得的下电极上沉积形成连续的WO/YO/WO/YO薄膜层,制备WO/YO双异质结结构作为模拟忆阻器的介质存储层；xyxyxy3)采用物理气相沉积工艺在步骤2)制得的介质存储层上沉积导电薄膜作为上电极,得到基于WO/YO双异质结结构的模拟忆阻器；xy步骤2)中,WO和YO薄膜均采用射频磁控溅射的方式进行沉积,所述WO薄膜的溅射源为钨靶材,YO薄膜的溅射源为钇靶材；所述WO薄膜射频溅射功率为50~200瓦,所述YO薄膜射频溅射功率为50~180瓦,对应WO单层薄膜的沉积时间为2~5分钟,对应YO单层薄膜的沉积时间为0.4~1分钟,在沉积过程中同时通入氩气和氧气,所述WO薄膜沉积过程氩气流速为20~40 sccm、氧气流速为5~20 sccm,所述YO薄膜沉积过程氩气流速为10~30 sccm、氧气流速为5~20 sccm,所述WO薄膜沉积温度为150~350 ℃、所述YO薄膜沉积温度为100~350℃。