专利类型发明专利 |
申请类型机构 |
申请方名称西北工业大学 , 周杰 , 赵凯 , 成来飞 , 叶昉 , 张青 |
发明人暂无 |
申请号CN202310572227.2 |
公开号CN116606149A |
国际申请暂无 |
申请日2023-05-22 00:00:00 |
主分类号C04B35/591 |
代理机构丽水创智果专利代理事务所(普通合伙) 33278 |
代理人李洁 |
公开日2023-08-18 00:00:00 |
优先权暂无 |
进入国家日暂无 |
国际公布日暂无 |
国际申请日暂无 |
地址710072 陕西省西安市友谊西路127号 |
检索词暂无 |
1.一种高强高纯氮化硅坩埚的制备方法,其特征在于,包括以下步骤：步骤1、氮化硅基体的制备：S1、将硅粉、粘结剂、分散剂、烧结助剂与高纯去离子水混合并球磨,球磨至浆料中硅粉粒径为1～5μm,将浆料置于模具中并去除气泡,然后室温下自然干燥,得到坩埚坯体；S2、将步骤1的坩埚坯体于氮气气氛中进行致密烧结后,打磨至坩埚表面粗糙度为0.4～0.8mm,得到氮化硅基体；步骤2、高强高纯氮化硅坩埚的制备：以四氯化硅、氨气为反应源,以氢气为载气,以氩气为稀释气体,采用化学气相沉积法在步骤S2的氮化硅基体表面制备高纯SiN涂层,得到高强高纯氮化硅坩埚。