低介电常数材料於电子束微影制程上的应用

隨著半導體技術的進步，金屬導線層的數目增加及導線間的距離不斷縮小，使得元件的尺寸也不斷地縮小，在線寬小於0.25 mm以下，電子訊號在金屬連線間傳送時，金屬連線的電阻-電容延遲時間 (RC delay time)，變成半導體元件速度受限的主要原因，為了降低訊號傳遞時間的延遲，現今已發展以金屬銅 (電阻率為 2.7 mW-cm) 成為導線的連線系統，進而降低金屬導線的電阻值。另一方面則是利用低介電常數 (low-k) 材料來降低電容，傳統上以化學氣相沈積法，長出來的金屬內層介電材料，如TEOS的介電常數值大