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兰姆波谐振器及其制作方法

发布时间:2025-04-15    |  【  大    中    小  】  |  【 打印 】 【 关闭 】
专利类型发明专利
申请类型机构
申请方名称左成杰 , 林福宏 , 中国科学技术大学 , 杨凯
发明人暂无
申请号CN202310206637.5
公开号CN116155232A
国际申请暂无
申请日2023-03-01 00:00:00
主分类号H03H9/17
代理机构中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人吴梦圆
公开日2023-05-23 00:00:00
优先权暂无
进入国家日暂无
国际公布日暂无
国际申请日暂无
地址230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
检索词暂无

1.一种兰姆波谐振器,其特征在于,包括:第一衬底(1);压电层(3),形成在所述第一衬底(1)上,所述第一衬底(1)与所述压电层(3)之间形成有空腔(6),所述压电层(3)为C轴倾斜的压电薄膜,所述C轴倾斜的角度为通过旋转欧拉角使C轴取向的压电薄膜的C轴倾斜48°~68°或者-68°~-48°,所述压电层(3)适用于在横向电场的作用下激发出第一阶反对称模态的兰姆波;第一金属电极层(41),包括由多个正负金属电极交替排布构成的金属电极阵列,所述金属电极阵列形成所述横向电场,将所述第一金属电极层(41)形成在所述压电层(3)上,使所述横向电场的方向与所述C轴倾斜的压电薄膜所在全局坐标系的+X轴方向成70°~90°或者-90°~70°;其中,所述压电层(3)在所述横向电场的作用下激发出第一阶反对称模态的兰姆波,使所述兰姆波谐振器在谐振频率大于3GHz的条件下实现大于15%的机电耦合系数。

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