专利类型发明专利 |
申请类型企业 |
申请方名称北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 , 郭超 , 母凤文 , 吴江 , 乔建东 |
发明人暂无 |
申请号CN202310761937.X |
公开号CN116497438A |
国际申请暂无 |
申请日2023-06-27 00:00:00 |
主分类号C30B23/00 |
代理机构北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人刘锴 |
公开日2023-07-28 00:00:00 |
优先权暂无 |
进入国家日暂无 |
国际公布日暂无 |
国际申请日暂无 |
地址100020 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146 |
检索词暂无 |
1.一种碳化硅单晶生长装置,其特征在于,所述的碳化硅单晶生长装置包括坩埚主体,所述坩埚主体用于盛放及加热碳化硅原料,所述坩埚主体内设置有阻流元件,所述阻流元件将所述坩埚主体的内腔分为由上至下的生长腔与原料腔,所述阻流元件开设有连通所述生长腔与原料腔的开口,所述生长腔用于生长碳化硅晶体,所述原料腔内填充所述碳化硅原料；所述原料腔内设置有Si源补充容器,所述Si源补充容器埋覆于所述碳化硅原料内,所述Si源补充容器与所述阻流元件之间形成气体通道,所述Si源补充容器内填充有含硅粉料,所述含硅粉料的Si组分与碳化硅原料在所述坩埚主体的加热下升华,经过所述气体通道并由所述开口上升至生长腔内。