专利类型发明专利 |
申请类型企业 |
申请方名称李泽伦 , 长鑫科技集团股份有限公司 |
发明人暂无 |
申请号CN202310871269.6 |
公开号CN116867285A |
国际申请暂无 |
申请日2023-07-14 00:00:00 |
主分类号H10B51/20 |
代理机构北京律智知识产权代理有限公司 11438 |
代理人王辉 |
公开日2023-10-10 00:00:00 |
优先权暂无 |
进入国家日暂无 |
国际公布日暂无 |
国际申请日暂无 |
地址230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号 |
检索词暂无 |
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一膜层结构,所述第一膜层结构包括沿远离所述衬底方向上依次设置的第一牺牲层、第一半导体层和第二牺牲层；在所述第一膜层结构上形成沟道孔,所述沟道孔贯穿所述第二牺牲层和所述第一半导体层,并延伸至所述第一牺牲层内；在所述沟道孔内随形形成第二膜层结构,且所述第二膜层结构延伸至所述第一膜层结构的表面,所述第二膜层包括依次形成的缓冲层、铁电薄膜层和沟道层；在所述沟道孔内填充第一绝缘层,且所述第一绝缘层覆盖所述第一膜层结构的表面；在第一方向上形成多个隔离结构,以在沿所述沟道孔的中心线方向上形成多个间隔分布的子半导体结构,所述第一方向为垂直于所述沟道孔的中心线的方向。