磁泡材料主要有单晶石榴石外延薄膜和非晶态合金薄膜两种类型，目前使用的是单晶石榴石外延膜，其基片是非磁性的GGG(Gd3Ga5O12:钆镓石榴石）。
最早曾用正铁氧体（REFe3:RE为Y或La~Lu的稀土元素，亚铁磁体）做磁泡材料，但由于磁矩很低，以致泡径大到100μm,无法达到高密度。另外，正铁氧体是弱铁磁性材料，因此，成分可调范围小，难以生长无缺陷的大单晶。更不利的是缺乏合适的衬底，制作正铁氧体外延膜尤为困难。另外，六角晶系铁氧体虽具有单轴各向异性，但由于畴壁迁移率很低，因而数据传输速率极低，所以不能采用。
直到1970年初，博贝克等人发现了石榴石（M3Fe5O12）具有感生单轴各向异性，这为磁泡技术的发展开辟了广阔的前景。几十年来，对石榴石磁泡材料进行了大量的试验和研究，其中包括探讨小泡径材料，以提高存储密度；提高畴壁迁移率，以便提高数据传输速率；同时改善温度系数以满足应用的要求。目前常用的材料有：（EuEr)3(FeGa)5O12,（EuY)3（FeGa)5O12,（SmY)3(FeGa)5O12,（YSmLuCa)3(FeGe)5O12等。通用的磁泡外延膜材料有四个系列，而最通用的是 Ca-Ge系列，调整组分元素和元素摩尔比，可以获得不同泡径和不同性能的材料。
1973年发现了非晶态磁泡材料，泡径在0.08~5μm之间，畴壁迁移率为61.5~376.9cm·m/(s·A)。这种材料适合制造高密度，高操作速度的磁泡存贮器。因为是非晶态，所以制作薄膜时无需单晶基片，并省去了单晶生长、切割、研磨、抛光等大量繁琐的工艺，同时降低了成本。然而非晶态磁泡材料有温度性能差的明显缺点，所以很难用此种材料制作磁泡器件。